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Samsung、新半導体プロセス「11nm FinFET」を発表-9月15日に東京でロードマップを公開

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Samsungは新しい半導体製造プロセス「11nm FinFET(11LPP、Low Power Plus)」を発表しました。

以前から製造している「14nm FinFET(14LPP)」と比較し、最大で15%の性能向上及びチップ面積を最大10%削減することに成功。現在フラッグシップモデルスマートフォンのモバイルプロセッサーは「10nm FinFET」の製造プロセスに対し、「11nm FinFET(11LPP、Low Power Plus)」はミドルレンジ~ミドルハイレンジ向けのスマートフォンに対して用いられます。このプロセス技術は2018年上半期にも生産準備が整うとしています。

またSamsungはEUV(極端紫外線)技術を用いた7nm FET製造プロセスの開発が予定通り進行中と述べたうえで、2018年下半期にも初期生産を開始することを予告しています。Samsungは今後3年間で11nm、10nm、8nm、7nmまでの包括的なプロセスロードマップを完成させています。また、「11nm FinFET(11LPP、Low Power Plus)」と「7nm FET」の開発を含んだファウンドリ・ロードマップの詳細を9月15日に東京で開催される「Samsung Foundry Forum」にて公開されます。

ソース:Samsung NEWSROOM

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(最終更新:2017-09-13)
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