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Qualcomm Snapdragon 835の詳細はCES 2017で発表

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Qualcomm Snapdragon 835の詳細はCES 2017で発表

 

QualcommはTwitterを通じて、Snapdragon 835の詳細をCES 2017にて発表すると予告をしました。

Snapdragon 835は10nm FinFETを採用しており、27%の高性能化、40%の省電力化に貢献しています。またQualcomm QuickChage 4.0を新たに採用。5分で5時間分の充電が可能になり、QuickChage 3.0よりも充電時間を2割、充電効率を最大3割まで向上させています。

10nm FinFETの製造に関してはSamsungが今回も担当することになっています。

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