Qualcommは同社の次世代SoC「Snapdragon 835」を2017年前半に出荷すると発表しました。
「10nm FinFET」を採用することをQualcommが発表しています。14nmプロセスと比較し、最大で30％の面積効率向上と27％の高性能化、40%の省電力化に貢献しており、Samsungが製造の担当しています。2016年でもSamsungはQualcommに対して2世代目の14nmプロセスの製造を担当していました。同じく10nm FinFETを採用しているMediaTek Helio X30はTSMCが製造に取り組んでいます。
サムスン、10nm FinFETプロセスのSoCを量産開始–「Galaxy S8」に搭載か Japan CNET
Qualcommは10nm Fin FETを使用することで、チップ面積が小さくなり、空いたスペースで従来よりも大きなバッテリースペースを確保できるようになるほか、14nmよりも40%の省電力化に貢献しているため、バッテリー寿命の大幅な改善が期待されると述べています。
Snapdragon 835に関する詳細な情報は現時点で公開されていません。
ソース：Qualcomm
